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RM6601SN
产品描述
RM6601SN 是一款高性能高可靠性电流控制型PWM 开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于75mW,满足六级能效标准,并且支持 CCM/QR混合模式。
RM6601SN集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频 130Khz的 PWM模式下,在低压输入时会进入 CCM模式;在重载情况下,系统工作在 QR 模式,以降低开关损耗,同时结合 PFM工作模式提高系统效率;RM6601SN 采用专有驱动技术,直驱 E-mode GaN FET;在轻载或空载情况下,系统工作在 Burst Mode 模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6601SN本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善 EMI。
RM6601SN同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括 VCC OVP,内置 OTP,外置 OVP,欠压锁定(uvlo),逐周期过流保护 OCP,过载保护(OLP), CS短路保护,输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿功能。
特点
• 支持 CCM/QR混合模式;
• 内置 700V 高压启动;
• 集成 X-CAP 放电功能;
• 支持最大 130KHz 工作频率;
• 内置特有抖频技术改善 EMI;
• Burst Mode 去噪音;
• 低启动电流(2uA),低工作电流;
• 集成斜坡补偿及高低压功率补偿;
• 集成 AC 输入 Brown out/in 功能;
• 外置 OVP 保护;
• 具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护;
• 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
应用领域
• 快速充电器
• 大功率适配器
• TV 电源
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