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GaN充电器的优势在哪？
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- 发布时间：2021-03-10 14:01
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【概要描述】对于传统的半导体材料，在高开关频率下会导致高的开关损耗，而GaN材料的低损耗特性可以降低发热，同时提高开关频率可以减少变压器和电容的体积，这都有助于减少充电器的体积和重量。 现在快充功率越来越高，民用氮化镓充电器的量产，可以说代表了未来充电器的一个发展方向。虽然现在的价格相对较高，但是相信不久的将来随着GaN材料的技术越来越成熟，越来越普及，GaN充电器的成本也会越来越低。
GaN充电器的优势在哪？
【概要描述】对于传统的半导体材料，在高开关频率下会导致高的开关损耗，而GaN材料的低损耗特性可以降低发热，同时提高开关频率可以减少变压器和电容的体积，这都有助于减少充电器的体积和重量。
现在快充功率越来越高，民用氮化镓充电器的量产，可以说代表了未来充电器的一个发展方向。虽然现在的价格相对较高，但是相信不久的将来随着GaN材料的技术越来越成熟，越来越普及，GaN充电器的成本也会越来越低。
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对于传统的半导体材料，在高开关频率下会导致高的开关损耗，而GaN材料的低损耗特性可以降低发热，同时提高开关频率可以减少变压器和电容的体积，这都有助于减少充电器的体积和重量。
现在快充功率越来越高，民用氮化镓充电器的量产，可以说代表了未来充电器的一个发展方向。虽然现在的价格相对较高，但是相信不久的将来随着GaN材料的技术越来越成熟，越来越普及，GaN充电器的成本也会越来越低。
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获的当年的诺贝尔物理奖。
GaN也是我们业务范围之一 但是由于现在氮化镓材料的解决上还存在成本高 良率低的问题 目前主要用氮化镓外延薄膜 在LED以及GaN/SiC薄膜在5G射频器件上的使用 氮化镓在功率器件上的使用 国内还需时日 氮化镓材料目前国内就苏州纳微科技可以生产
最近比较火的小米的65W氮化镓充电器的关键芯片就是
来自Navitas纳微的GaNFast氮化镓功率芯片NV6115。其内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用5*6mm QFN封装，
纳微是目前全球唯一家生产这种Gan芯片的。还有NV6113，NV6117等。
纳微NV6115此前已被Anker PowerCore Fusion PD超极充、RAVPower 45W GaN PD充电器、倍思65W氮化镓充电器、ROxANNE 66W氮化镓USB PD双口快充充电器等产品采用。
USB-C接口VBUS开关来自华羿半导体，型号HY15P03，PMOS，耐压30V，导阻4.8mΩ。
天钰的快充协议芯片此前已被紫米10000mAh USB PD快充移动电源、努比亚红魔10000mAh电竞移动电源、小米45W USB PD移动电源3高配版、紫米首款MFi认证无线充移动电源、IDMIX 1A1C 18W PD快充充电器等多款快充产品采用，性能获得客户广泛认可。
USB-A接口同步降压芯片来自SOUTHCHIP南芯半导体，型号SC8903。该芯片是一颗内部集成四管H桥的高效率同步升降压转换器，支持最高24V工作电压，支持动态输出电压控制，开关频率可调节，具有可编程的输入和输出电流限制，支持多种保护功能
USB-C接口协议采用慧能泰半导体的HUSB339。该芯片是深圳慧能泰半导体科技有限公司最新推出的USB PD3.0快充协议芯片，目前已经通过USB-IF协会的USB PD3.0 PPS认证，TID 62。同时这也是中国大陆地区第一款通过USB PD3.0 PPS认证的芯片，其支持多达五档FPDO和二档APDO，支持5V~23V范围内任意设置和组合FPDO档位，所有PDO的最大电流等级可达5A。
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